tiristor (engl. thyristor, od grč. ϑύρα: vrata + [trans]istor), zbirni naziv sklopnih poluvodičkih elemenata s bistabilnom karakteristikom, u radu kojih se izmjenjuju isključeno i uključeno stanje. (→ poluvodiči)
Diodni tiristor četveroslojna je pnpn-struktura s dvije elektrode. Na rubna p-područja i n-područja spajaju se kontakti anode i katode. Jednosmjeran je i radi kao sklopka samo pri propusnoj polarizaciji, s pozitivnim anodnim naponom između anode i katode. Uz mali propusni napon anodna je struja zanemarivo malena i tiristor je u propusnom isključenom stanju. Dosegom propusnoga prijelomnoga napona, tiristor prelazi u propusno uključeno stanje praćeno znatnim smanjenjem anodnoga napona i naglim povećanjem struje. U isključeno se stanje vraća ograničenjem anodne struje na vrijednost manju od struje pridržavanja.
Triodnom tiristoru dodana je treća, upravljačka elektroda. Oznaka toga jednosmjernog tiristora jest SCR (engl. Silicon Controlled Rectifier – silicijska upravljana ispravljačica). Pozitivnim strujnim impulsom na upravljačkoj elektrodi namješta se iznos prijelomnoga napona kod kojeg tiristor SCR prelazi iz isključenoga u uključeno stanje. Tiristor SCR isključuje se ograničenjem anodne struje. Uključenje i isključenje strujom upravljačke elektrode moguće je kod isklopivoga tiristora (GTO, engl. Gate Turnoff Thyristor). Uz jednosmjerne, rabe se i dvosmjerni diodni i dvosmjerni triodni tiristori, koji imaju sklopnu karakteristiku uz oba polariteta napona na tiristoru.
Tiristori se rabe kao visokoenergetske sklopke predviđene za preklapanje kilovoltnih napona i kiloamperskih struja. U energetskim primjenama manjih snaga tiristore sve više zamjenjuju MOSFET-ovi (engl. Metal-Oxide-Semiconductor FET – metalnooksidni poluvodički tranzistor upravljan poljem) i IGBT-ovi (engl. Insulated Gate Bipolar Transistor – bipolarni tranzistor s izoliranom upravljačkom elektrodom). (→ tranzistor)
